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北京培科創(chuàng)新技術(shù)有限公司
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更新時間:2024-02-20 18:55:10瀏覽次數(shù):147次
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GRAND-EOS是一款高光譜相機,400至1620nm連續(xù)調(diào)節(jié)。提供了高通量和高效率的非偏振光,并整合了微觀和宏觀的數(shù)據(jù)信息。它基于Photonetc.布拉格光柵的濾波技術(shù)。GRAND-EOS生成具有X-Y軸空間信息和z軸光譜信息的高光譜數(shù)據(jù)立方模塊。Photon etc.成像技術(shù)不需要圖像重建就能從少量的單色圖像中提取數(shù)據(jù)立方模塊,視野觀察可以依據(jù)應(yīng)用程序和樣本大小進(jìn)行調(diào)整。GRAND-EOS很適合在基礎(chǔ)科研和工業(yè)應(yīng)用中研究反射,透射和發(fā)光成像。
應(yīng)用案例
硅太陽能電池的高光譜發(fā)光成像
硅基太陽能電池是一種性能可靠,器件壽命長的技術(shù)。約占太陽能電池板銷售份額的90%。經(jīng)歷20余年的發(fā)展,當(dāng)代太陽能電池板仍然面臨著批量制造和規(guī)?;奶魬?zhàn)。對損耗機制的研究可以極大幫助改進(jìn)這一代太陽能電池,使它們成為室內(nèi)收集能量手段的候選者。
一塊優(yōu)秀的的太陽能電池需要盡可能增加曝光面積。光致發(fā)光(PL)或電致發(fā)光(EL)強度,提供了一種快速評估非輻射損耗和材料效率的方法。Photon公司的IMA和GRAND-EOS測試平臺,提供了光譜和空間分辨率的像圖,覆蓋不同的視場,范圍從幾百微米平方(IMA)到幾厘米平方(GRAND-EOS)。圖1顯示了一個硅器件在2cm x 2cm視場上電致發(fā)光的圖像,呈現(xiàn)了器件上細(xì)微的不均勻性。
圖1 從高光譜數(shù)據(jù)中提取的硅器件的電致發(fā)光圖 a) 1040 nm and b) 1140 nm
在美國國家標(biāo)準(zhǔn)與技術(shù)研究所(NIST) Behrang Hamadani博士的這篇論文中,DR.Hamadani使用GRAND-EOS進(jìn)行的電致發(fā)光測量,以研究太陽能電池的外部輻射發(fā)射率。
注:該儀器光譜范圍最多可增加至2500nm,如您有定制化需求,請與我們聯(lián)系
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