1.采用*異的成像技術(shù)
SU7000可以迅速獲取從大視野quan貌圖到表面微細(xì)結(jié)構(gòu)等多種檢測(cè)信號(hào)。新設(shè)計(jì)的電子光學(xué)系統(tǒng)和檢測(cè)系統(tǒng)，使得裝置可以同時(shí)接收二次電子和背散射電子等信號(hào)，用戶可以在短時(shí)間內(nèi)獲得更*面的樣品信息。
2.采用多通道成像技術(shù)
隨著用戶對(duì)成像需求的不斷增長(zhǎng)，SU7000特新增了幾種探測(cè)器，還引進(jìn)了相應(yīng)的成像功能。SU7000*多可同時(shí)顯示和保存6通道信號(hào)。實(shí)現(xiàn)了獲得樣品信息的*大化。
3.支持不同形狀樣品、多種觀察方法
1.大型樣品觀察；2.低真空觀察；3.超低溫觀察；4.實(shí)時(shí)觀察
等所需的樣品倉(cāng)和真空系統(tǒng)都shi分完備，觀察方法也是yi應(yīng)俱quam。
4.支持微納解析
采用肖特基發(fā)射電子槍?zhuān)?大束流可達(dá)到200 nA，適用于各種微納解析。樣品倉(cāng)形狀和接口設(shè)置支持EDX分析、EBSD、陰極熒光分析等，接口設(shè)備可通過(guò)選配附件滿足各種特s需求。
成像能力
追求信息*大化的檢測(cè)系統(tǒng)
隨著用戶對(duì)樣品數(shù)據(jù)的需求更加多元化，對(duì)檢測(cè)系統(tǒng)在短時(shí)間內(nèi)捕捉更多的信息提出了更高的要求。SU7000的檢測(cè)系統(tǒng)可以在不改變WD等條件的前提下，更*效地獲取形貌、成分、晶體學(xué)以及發(fā)光等信息。真正實(shí)現(xiàn)了更快速、更*面的信息收集。
同一條件觀察
樣品：包裹有機(jī)物的金屬棒
通過(guò)UD、MD、LD探測(cè)器同時(shí)采集信號(hào)的應(yīng)用實(shí)例 （加速電壓：1 kV）
通過(guò)UD、MD、LD探測(cè)器可以同時(shí)采集信號(hào)，UD可獲取表面微細(xì)形狀信息，MD可獲取表面有機(jī)物包覆狀態(tài)信息，LD可獲取整體凹凸形貌信息。在同一個(gè)條件下，實(shí)現(xiàn)了獲取信息的*大化。
采用可多通道顯示的GUI設(shè)計(jì)
優(yōu)化信號(hào)顯示功能
成像單元在信號(hào)顯示上也作了*新升級(jí)。用戶可根據(jù)觀察需求，選擇不同的視場(chǎng)角和通道數(shù)。
單屏*多可同時(shí)顯示4通道信號(hào)。
導(dǎo)航功能(SEM MAP)可以輕松捕捉到顯示樣品倉(cāng)內(nèi)信息的CCD相機(jī)圖像和相機(jī)拍攝到的樣品圖像，快速顯示目標(biāo)圖像。
使用雙屏顯示時(shí)，可在一個(gè)顯示屏上雙通道顯示1,280×960像素的圖像，另一個(gè)顯示屏專(zhuān)門(mén)用來(lái)顯示信號(hào)，*多可同時(shí)顯示6通道信號(hào)。
高自由度的界面布局
使用單屏?xí)r，可以單通道、雙通道、四通道顯示樣品信息，也可以顯示CCD相機(jī)圖像、樣品臺(tái)圖像/SEM MAP圖像等。而且操作畫(huà)面上的工具欄可以任意移動(dòng)、添加和刪除。
支持雙屏顯示
1st顯示屏專(zhuān)門(mén)用來(lái)顯示圖像，2nd顯示屏用來(lái)顯示操作面板畫(huà)面。上圖左圖（1st顯示屏）是通過(guò)SU7000觀察到的鋼鐵中非金屬夾雜物的圖片。圖中清晰呈現(xiàn)出
UD、LD、UVD、MD、PD-BSED5個(gè)探測(cè)器捕捉到的圖像以及SEM MAP圖。右圖（2nd顯示屏）將操作面板菜單和圖像歷史記錄窗口在同一個(gè)畫(huà)面中顯示，界面
布局清晰明了。在實(shí)現(xiàn)實(shí)時(shí)監(jiān)控圖像的同時(shí)，操作性能也得到了進(jìn)一步提升。
可擴(kuò)展觀察和分析方法
樣品倉(cāng)和馬達(dá)臺(tái)
樣品倉(cāng)外觀標(biāo)配18個(gè)附件接口 馬達(dá)臺(tái)外觀XY軸可移動(dòng)距離為135×100 mm
樣品倉(cāng)可搭載*大直徑為φ 200 mm；*高80 mm的樣品。大開(kāi)倉(cāng)設(shè)計(jì)，標(biāo)配18個(gè)附件接口。樣品臺(tái)可搭載XY軸*大移動(dòng)距離為135×100 mm，*重2 kg的樣品。搭載大型樣品和功能樣品臺(tái)*全不成問(wèn)題。
支持動(dòng)態(tài)觀察的檢測(cè)系統(tǒng)
SU7000可用于環(huán)境改變的動(dòng)態(tài)觀察。低真空觀察時(shí)，可以選用PD-BSED（背散射電子探測(cè)器）、UVD、MD等各種探測(cè)器(**)。
低真空環(huán)境的探測(cè)器選擇
左圖為通過(guò)MD（背散射電子），右圖為通過(guò)UVD（二次電子）探測(cè)器觀察到的金屬氧化物纖維的情況。兩張圖分別清晰地呈現(xiàn)出氧化物的分散狀態(tài)和纖維的堆積情況。
PD-BSED：響應(yīng)速度提高
左圖是以一般的響應(yīng)速度，約每?jī)擅霋呙枰淮蔚玫降膱D像；右圖抑制了圖像的漂移，使得整體的畫(huà)質(zhì)得到了大幅提升。隨著響應(yīng)速度的提高，更適用于In-Situ觀察。
技術(shù)參數(shù)
| 項(xiàng)目 | 內(nèi)容 | ||
|---|---|---|---|
| 圖像分辨率 | 二次電子分辨率 | 0.8 nm/15 kV | |
| 0.9 nm/1 kV | |||
| 放大倍率 | 20～2,000,000 x | ||
| 電子槍 | 發(fā)射體 | ZrO/W熱場(chǎng)發(fā)射（肖特基熱場(chǎng)發(fā)射） | |
| 加速電壓 | 0.1～30 kV （步進(jìn)：0.01 kV） | ||
| 束流 | *大200 nA | ||
| 探測(cè)器 | 標(biāo)準(zhǔn)探測(cè)器 | UD （上探測(cè)器) | |
| MD （中探測(cè)器） | |||
| LD （下探測(cè)器) | |||
| 選配探測(cè)器*1 | PD-BSED (半導(dǎo)體式背散射電子探測(cè)器） | ||
| UVD（高靈敏度低真空探測(cè)器 ） | |||
| 低真空模式*1 | 樣品倉(cāng)壓力范圍 | 5～300 Pa | |
| 可使用探測(cè)器 | PD-BSED, UVD, UD, MD, LD | ||
| 馬達(dá)臺(tái) | 馬達(dá)臺(tái)控制 | 5軸馬達(dá)驅(qū)動(dòng) | |
| 移動(dòng)范圍 | X | 0～135 mm | |
| Y | 0～100 mm | ||
| Z（WD） | 1.5～40 mm | ||
| T（傾斜角） | -5～70° | ||
| R（旋轉(zhuǎn)角） | 360° | ||
| 樣品尺寸 | *大直徑：φ200 mm, *大高度：80 mm | ||
| 顯示器*1 | 23英寸LCD （1,920×1,080）, 支持雙屏 | ||
| 圖像顯示模式 | 全屏顯示模式 | 1,280×960像素顯示 | |
| 單屏顯示模式 | 800×600像素顯示 | ||
| 雙屏顯示模式 | 800×600像素顯示、1,280×960像素顯示 *2 | ||
| 四屏顯示模式 | 640×480像素顯示 | ||
| 六屏顯示模式*2 | 640×480像素顯示 *2 | ||
| 圖像數(shù)據(jù)保存 | 保存圖像尺寸 | 640×480、1,280×960、2,560×1,920、5,120×3,840、10,240×7,680 | |
| 選配附件 | 能譜儀（EDX） | ||
| X射線波譜儀（WDX） | |||
| 電子背散射衍射（EBSD） | |||
| 陰極熒光探測(cè)器（CL) | |||
| 冷凍傳輸系統(tǒng) | |||
| 各種功能樣品臺(tái) | |||
*2支持雙屏顯示。
