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反應離子刻蝕（RIE/ICP-RIE）

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更新時間：2024-09-05 09:59:04瀏覽次數：102次

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產品簡介

反應離子刻蝕(ReactiveIonEtching,RIE)是指在平板電極間施加射頻電壓，通過產生的等離子體對樣品進行化學和物理刻蝕

詳細介紹

反應離子刻蝕(Reactive Ion Etching, RIE)是指在平板電極間施加射頻電壓，通過產生的等離子體對樣品進行化學和物理刻蝕。矽碁科技提供各類定制化RIE設備，廣泛應用于氧化硅、氮化硅及各類電介質材料刻蝕，此外矽碁還可以提供電感耦合反應離子刻蝕機(ICP-RIE)，該機型可提供更高的等離子濃度，適合金屬等其他材料的刻蝕。

技術參數：

1 基片尺寸可定制；

2 多層式工藝氣體導入，氣體分布均勻；

3 獨立MFC控制箱，可靈活擴充工藝氣路；

4 基板水冷系統(tǒng)，保持刻蝕時基板溫度恒定；

5 刻蝕均勻性優(yōu)于 ±5%；