北京博宇訊銘科技有限公司
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更新時(shí)間：2024-08-12 10:42:30瀏覽次數(shù)：138次
聯(lián)系我時(shí)，請(qǐng)告知來自 紡織服裝機(jī)械網(wǎng)Chroma 19036為業(yè)界結(jié)合脈沖測(cè)試，耐壓、 絕緣電阻與直流電阻量測(cè)于單機(jī)的繞線元件電氣 安規(guī)掃描分析儀，擁有5kVac/6kVdc高壓輸出、 5kV絕緣電阻、6kV層間短路脈沖電壓與四線式直 流電阻量測(cè)。符合繞線元件測(cè)試需求且提供多通 道掃描測(cè)試，單機(jī)10通道輸出可達(dá)成一次多顆掃 描測(cè)試，節(jié)省測(cè)試時(shí)間及人力成本。
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五合一安規(guī)掃描分析儀 (交流耐壓、直流耐壓、絕緣電阻、 層間短路、 直流電阻)
耐壓測(cè)試(Hi-pot) - 5kVac / 6kVdc - HSCC 高速接觸檢查
絕緣電阻測(cè)試(IR) : 5kV
繞線元件脈沖測(cè)試 (IWT)
-脈沖測(cè)試高取樣率(200MHz)
直流電阻測(cè)試 - 10通道四線直流電阻測(cè)試 /-Δ型/Y型馬達(dá)繞線電阻計(jì)算
支援40通道掃描測(cè)試
繁中 / 簡(jiǎn)中 / 英文操作介面
USB波形儲(chǔ)存& 畫面擷取功能
圖形化彩色顯示
標(biāo)準(zhǔn)LAN, USB, RS232介面
GFI人體保護(hù)電路
19036與C h r o m a其他安規(guī)測(cè)試系列儀器同樣具有 Flashover偵測(cè)功能。Flashover是絕緣材料內(nèi)部或表面因高電界產(chǎn)生電氣放電，待測(cè)物失去原有之絕緣特性，形成暫態(tài)或非連續(xù)性放電，導(dǎo)致碳化導(dǎo)電通路產(chǎn)生或產(chǎn)品傷害。若只以漏電流判定則無法檢出不良，須以測(cè)試電壓或漏電流之變化率判定檢出不良。因此Flashover偵測(cè)為高壓測(cè)試的檢視項(xiàng)目之一。
19036與C h r o m a其他安規(guī)測(cè)試系列儀器同樣具有 Flashover偵測(cè)功能。Flashover是絕緣材料內(nèi)部或表面因高電界產(chǎn)生電氣放電，待測(cè)物失去原有之絕緣特性，形成暫態(tài)或非連續(xù)性放電，導(dǎo)致碳化導(dǎo)電通路產(chǎn)生或產(chǎn)品傷害。若只以漏電流判定則無法檢出不良，須以測(cè)試電壓或漏電流之變化率判定檢出不良。因此Flashover偵測(cè)為高壓測(cè)試的檢視項(xiàng)目之一。
部分生產(chǎn)廠商常以并聯(lián)進(jìn)行耐壓測(cè)試以提升生產(chǎn)檢測(cè)速度，但并聯(lián)測(cè)試時(shí)，無法正確設(shè)定電流上下限值，導(dǎo)致不良品流出; 以及不良品需至后測(cè)站另加進(jìn)行測(cè)試，增加站數(shù)及成本。
19036系列提供次測(cè)項(xiàng)功能(sub-step)。當(dāng)生產(chǎn)需要并聯(lián)測(cè)試時(shí)，經(jīng)由程序的編輯，以不良(Fail)做為次測(cè)項(xiàng)啟動(dòng)條件。意指當(dāng)測(cè)試于主測(cè)項(xiàng)(并聯(lián))不良時(shí)，才會(huì)進(jìn)行次測(cè)項(xiàng)測(cè)試(單顆)，即可判斷出不良品為哪一顆待測(cè)物，可達(dá)到高產(chǎn)速與高檢測(cè)品質(zhì)佳化。
例 : Step 1 : AC Hipot / pin1 to pin5, 6, 7
Sub step 1.1 : AC Hipot / pin1 to pin5
Sub step 1.2 : AC Hipot / pin1 to pin6
Sub step 1.3 : AC Hipot / pin1 to pin7
部分生產(chǎn)廠商常以并聯(lián)進(jìn)行耐壓測(cè)試以提升生產(chǎn)檢測(cè)速度，但并聯(lián)測(cè)試時(shí)，無法正確設(shè)定電流上下限值，導(dǎo)致不良品流出; 以及不良品需至后測(cè)站另加進(jìn)行測(cè)試，增加站數(shù)及成本。
19036系列提供次測(cè)項(xiàng)功能(sub-step)。當(dāng)生產(chǎn)需要并聯(lián)測(cè)試時(shí)，經(jīng)由程序的編輯，以不良(Fail)做為次測(cè)項(xiàng)啟動(dòng)條件。意指當(dāng)測(cè)試于主測(cè)項(xiàng)(并聯(lián))不良時(shí)，才會(huì)進(jìn)行次測(cè)項(xiàng)測(cè)試(單顆)，即可判斷出不良品為哪一顆待測(cè)物，可達(dá)到高產(chǎn)速與高檢測(cè)品質(zhì)佳化。
例 : Step 1 : AC Hipot / pin1 to pin5, 6, 7
Sub step 1.1 : AC Hipot / pin1 to pin5
Sub step 1.2 : AC Hipot / pin1 to pin6
Sub step 1.3 : AC Hipot / pin1 to pin7
所謂的''繞線元件脈沖測(cè)試''基本上是以一''非破壞性''、高速、低能量之電壓脈沖施加在待測(cè)物上，再藉由分析／比對(duì)待測(cè)物良品與不良品之等效波形以達(dá)到判定良否之目的。繞線元件脈沖測(cè)試主要功能乃在早期發(fā)現(xiàn)繞線元件中各種潛在之缺陷，例如：層間短路、電暈電弧或甚至是不易發(fā)覺之部分放電等。
四種判定模式
g 波形面積比較 (AREA SIZE)
g 波形差面積比較 (DIFFERENTIAL AREA)
g 波形顫動(dòng)偵測(cè) (FLUTTER DETECTION)
g 波形二階微分偵測(cè) (LAPLACIAN DETECTION)
以二階微分演算，有效偵測(cè)出因電氣放電造成之波形不連續(xù)現(xiàn)象。
所謂的''繞線元件脈沖測(cè)試''基本上是以一''非破壞性''、高速、低能量之電壓脈沖施加在待測(cè)物上，再藉由分析／比對(duì)待測(cè)物良品與不良品之等效波形以達(dá)到判定良否之目的。繞線元件脈沖測(cè)試主要功能乃在早期發(fā)現(xiàn)繞線元件中各種潛在之缺陷，例如：層間短路、電暈電弧或甚至是不易發(fā)覺之部分放電等。
四種判定模式
g 波形面積比較 (AREA SIZE)
g 波形差面積比較 (DIFFERENTIAL AREA)
g 波形顫動(dòng)偵測(cè) (FLUTTER DETECTION)
g 波形二階微分偵測(cè) (LAPLACIAN DETECTION)
以二階微分演算，有效偵測(cè)出因電氣放電造成之波形不連續(xù)現(xiàn)象。
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