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描述：絕緣紙介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀介電常數(shù)分析儀技術(shù)參數(shù)：1.信號(hào)源: DDS數(shù)字合成信號(hào) 10KHZ-70MHZ2.信號(hào)源頻率精度310-5 1個(gè)字,6位有效數(shù)3．Q值測(cè)量范圍：1～1023
LJD-B型介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測(cè)試儀
LJD-B型【介電常數(shù)分析儀】
介電常數(shù)分析儀技術(shù)參數(shù)：
*1.信號(hào)源: DDS數(shù)字合成信號(hào) 10KHZ-70MHZ
*2.信號(hào)源頻率精度3×10-5 ±1個(gè)字,6位有效數(shù)
3．Q值測(cè)量范圍：1～1023
4．Q值量程分檔：30、100、300、1000、自動(dòng)換檔或手動(dòng)換檔；
*5．電感測(cè)量范圍：1nH～8.4H 自身殘余電感和測(cè)試引線電感的自動(dòng)扣除功能
*6．電容直接測(cè)量范圍：1pF～2.5uF
*7．主電容調(diào)節(jié)范圍：30～540pF
8.準(zhǔn)確度 150pF以下±1pF；150pF以上±1%
9．信號(hào)源頻率覆蓋范圍10kHz～70MHz
10．合格指示預(yù)置功能范圍：5～1000
11．環(huán)境溫度：0℃～+40℃；
12．消耗功率：約25W；電源：220V±22V，50Hz±2.5Hz。
13. S916（數(shù)顯）介電常數(shù)εr和介質(zhì)損耗因數(shù)tanδ測(cè)試裝置：
絕緣紙介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀數(shù)顯式微桿
平板電容器：
極片尺寸： 38mm
極片間距可調(diào)范圍：≥15mm
夾具插頭間距：25mm±0.01mm
夾具損耗正切值≤4×10－4 （1MHz）
測(cè)微桿分辨率：0.001mm
測(cè)試極片：材料測(cè)量直徑Φ38mm厚度可調(diào) ≥ 15mm
*液體杯：測(cè)量極片直徑 Φ38mm； 液體杯內(nèi)徑Φ48mm 、深7mm
14. 電感組LKI-1：
分別有0.1μH、0.5μH、2.5μH、10μH、50μH、100μH、1mH、5mH、10mH九個(gè)電感組成。
15、主機(jī)尺寸：（寬×高×深）mm：380×132×280
16、重量約：7KG
【介電常數(shù)分析儀】術(shù)語(yǔ)
定義：絕緣紙介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀
這些試驗(yàn)方法所用術(shù)語(yǔ)定義以及電絕緣材料相關(guān)術(shù)語(yǔ)定義見術(shù)語(yǔ)標(biāo)準(zhǔn)D1711。
本標(biāo)準(zhǔn)用術(shù)語(yǔ)定義：
電容，C，名詞——當(dāng)導(dǎo)體之間存在電勢(shì)差時(shí)，導(dǎo)體和電介質(zhì)系統(tǒng)允許儲(chǔ)存電分離電荷的性能。
討論——電容是指電流電量 q與電位差V之間的比值。電容值總是正值。當(dāng)電量采用庫(kù)倫為單位，電位采用伏特為單位時(shí)，電容單位為法拉，即：
C=q/V （1）
耗散因子（D），（損耗角正切），（tanδ），名詞——是指損耗指數(shù)（K''）與相對(duì)電容率（K'）之間的比值，它還等于其損耗角（δ）的正切值或者其相位角（θ）的余切值（見圖1和圖2）。
D=K''/K' (2)
3.2.2.1 討論——a：
D=tanδ=cotθ=Xp/Rp=G/ωCp=1/ωCpRp(3)
式中：
G=等效交流電導(dǎo)，
Xp=并聯(lián)電抗，
Rp=等效交流并聯(lián)電阻，
Cp=并聯(lián)電容，
ω=2πf（假設(shè)為正弦波形狀）
耗散因子的倒數(shù)為品質(zhì)因子Q，有時(shí)成為儲(chǔ)能因子。對(duì)于串聯(lián)和并聯(lián)模型，電容器耗散因子D都是相同的，按如下表示為：
D=ωRsCs=1/ωRpCp(4)
串聯(lián)和并聯(lián)部分之間的關(guān)系滿足以下要求：
Cp=Cs/(1 D2) (5)
Rp/Rs=(1 D2)/D2=1 (1/D2)=1 Q2(6)
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