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WGJSTD-B/B1型介質(zhì)損耗及介電常數(shù)測試儀

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產(chǎn)品簡介

簡單介紹高頻介質(zhì)損耗測試系統(tǒng)由S916測試裝置（夾具）、WGJSTD-B/B1型介質(zhì)損耗及介電常數(shù)測試儀、數(shù)據(jù)采集和tanδ自動測量控件（裝入WGJSTD-B或B1、及LKI-1型電感器組成，它依據(jù)國標(biāo)GB/T1409-2006、美標(biāo)ASTMD150以及國際電工委員會IEC60250的規(guī)定設(shè)計制作

詳細(xì)介紹

簡單介紹

高頻介質(zhì)損耗測試系統(tǒng)由S916測試裝置（夾具）、WGJSTD-B/B1型介質(zhì)損耗及介電常數(shù)測試儀、數(shù)據(jù)采集和tanδ自動測量控件（裝入WGJSTD-B或B1、及LKI-1型電感器組成，它依據(jù)國標(biāo)GB/T 1409-2006、美標(biāo)ASTM D150以及國際電工委員會IEC60250的規(guī)定設(shè)計制作。系統(tǒng)提供了絕緣材料的高頻介質(zhì)損耗角正切值(tanδ)和介電常數(shù)(ε)自動測量的*佳解決方案。

WGJSTD-B/B1型介質(zhì)損耗及介電常數(shù)測試儀的詳細(xì)介紹

詳細(xì)介紹

1、《S916介質(zhì)損耗裝置》(測試夾具)是測試系統(tǒng)的核心檢測部件，它由一個LCD數(shù)字顯示的微測量裝置和一對經(jīng)精密加工的、間距可調(diào)的平板電容器極片組成。平板電容器極片用于夾持被測材料樣品，微測量裝置則顯示被測材料樣品的厚度。通過被測材料樣品放進(jìn)平板電容器和不放進(jìn)樣品時的Q值變化的量化，測得絕緣材料的損耗角正切值。從平板電容器平板間距的讀值變化則可換算得到絕緣材料介電常數(shù)。S916介質(zhì)損耗測試裝置是本公司*新研制的更新?lián)Q代產(chǎn)品，精密的加工設(shè)計、**的LCD數(shù)字讀出、一鍵式清零功能，克服了機(jī)械刻度讀數(shù)誤差和圓筒形電容裝置不可避免的測量誤差。

2、基于串聯(lián)諧振原理的《WGJSTD-B/B1介質(zhì)損耗及介電常數(shù)儀》是測試系統(tǒng)的二次儀表，其數(shù)碼化主調(diào)電容器的**設(shè)計代表了行業(yè)的*高成就，隨之帶來了頻率、電容雙掃描(B1型)的全新搜索功能。該表具有*的人機(jī)界面，采用LCD液晶屏顯示各測量因子：Q值、電感L、主調(diào)電容器C、測試頻率F、諧振趨勢指針等。高頻信源采用直接數(shù)字合成,測試頻率10KHz-60MH或200KHz-160MHz，頻率精度高達(dá)1×10^-6。國標(biāo)GB/T 1409-2006規(guī)定了用Q表法來測定電工材料高頻介質(zhì)損耗角正切值(tanδ)和介電常數(shù)(ε)，把被測材料作為平板電容的介質(zhì)，與輔助電感等構(gòu)成串聯(lián)諧振因子引入Q表的測試回路，以獲取*高的測試靈敏度。因而Q表法的測試結(jié)果更真實地反映了介質(zhì)在高頻工作狀態(tài)下的特征。

WGJSTD-B/B1介質(zhì)損耗及介電常數(shù)儀的全數(shù)字化界面和微機(jī)控制使讀數(shù)清晰穩(wěn)定、操作簡便。操作者能在任意點頻率或電容值的條件下檢測Q值甚至tanδ，無須關(guān)注量程和換算，摒棄了傳統(tǒng)Q表依賴面板上印制的輔助表格操作的落后狀況，它無疑是電工材料高頻介質(zhì)損耗角正切值(tanδ)和介電常數(shù)(ε)測量的理想工具。

3、數(shù)據(jù)采集和tanδ自動測量控件（裝入WGJSTD-B或B1)，實現(xiàn)了數(shù)據(jù)采集、數(shù)據(jù)分析和計算的微處理化，tanδ 測量結(jié)果的獲得無須繁瑣的人工處理，因而提高了數(shù)據(jù)的**度和測量的同一性，是人工讀值和人工計算的。

4、一個高品質(zhì)因數(shù)（Q)的電感器是測量系統(tǒng)的輔助工具，關(guān)乎測試的靈敏度和精度，在系統(tǒng)中它與平板電容（S916）構(gòu)成了基于串聯(lián)諧振的測試回路。本系統(tǒng)推薦的電感器為LKI-1電感組，共由9個高性能電感器組成，以適配不同的檢測頻率。