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半導(dǎo)體行業(yè)用超純水設(shè)備

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半導(dǎo)體行業(yè)用超純水設(shè)備

詳細(xì)介紹

　　半導(dǎo)體行業(yè)用超純水設(shè)備廣泛用于生產(chǎn)計(jì)算機(jī)硬盤(pán)，集成電路芯片，半導(dǎo)體，顯像管，液晶顯示器，線(xiàn)路板等用的純水，對(duì)水的純度要求較高，對(duì)出水電阻率的要求達(dá)到上(MΩ.cm)級(jí)，用預(yù)RO反滲透作為一級(jí)處理，再通過(guò)混床進(jìn)行二次處理，產(chǎn)品水符合電子行業(yè)用水相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)?？刂撇糠莶捎肞LC控制，可實(shí)現(xiàn)自動(dòng)起停，加藥，及沖洗，自動(dòng)監(jiān)測(cè)各種運(yùn)行參數(shù)，并可實(shí)現(xiàn)運(yùn)行參數(shù)的存儲(chǔ)和打印。

　　半導(dǎo)體行業(yè)用超純水設(shè)備功能

　　脫鹽率高，運(yùn)行壓力低的進(jìn)口的低卷式復(fù)合反滲透膜，產(chǎn)水水質(zhì)優(yōu)良，運(yùn)行成本低廉，使用壽命長(zhǎng)。高效率，低噪聲。

超純水設(shè)備

　　半導(dǎo)體行業(yè)用超純水設(shè)備工藝流程

　　1、預(yù)處理-反滲透-水箱-陽(yáng)床-陰床-混合床-純化水箱-純水泵-紫外線(xiàn)殺菌器-精制混床-精密過(guò)濾器-用水對(duì)象。

　　2、預(yù)處理-一級(jí)反滲透-加藥機(jī)(PH調(diào)節(jié))-中間水箱-第二級(jí)反滲透(正電荷反滲膜)-純化水箱-純水泵-紫外線(xiàn)殺菌器-0.2或0.5μm精密過(guò)濾器-用水對(duì)象。

　　3、預(yù)處理-二級(jí)反滲透-中間水箱-水泵-EDI裝置-純化水箱-純水泵-紫外線(xiàn)殺菌器-0.2或0.5μm精密過(guò)濾器-用水對(duì)象。

　　4、預(yù)處理-二級(jí)反滲透-中間水箱-水泵-EDI裝置-純化水箱-純水泵-紫外線(xiàn)殺菌器-精制混床-0.2或0.5μm精密過(guò)濾器-用水對(duì)象。

　　水質(zhì)符合美國(guó)ASTM標(biāo)準(zhǔn)，電子部超純水水質(zhì)標(biāo)準(zhǔn)(18MΩ*cm，15MΩ*cm，2MΩ*cm和0.5MΩ*cm四級(jí))。

超純水處理設(shè)備

　　半導(dǎo)體行業(yè)用超純水設(shè)備工藝參數(shù)

　　水質(zhì)要求：電除鹽系統(tǒng)的進(jìn)水水質(zhì)要求必須是一級(jí)反滲透的出水(電導(dǎo)率為4~20μS/cm)或與之相當(dāng)?shù)乃|(zhì)。

　　1、一般要求

　　2、系統(tǒng)中CO2問(wèn)題

　　CO2是一個(gè)關(guān)鍵因素。因?yàn)榉肿拥腃O2可以透過(guò)RO膜進(jìn)人后續(xù)系統(tǒng)中的混床或者EDI中的陰離子交換樹(shù)脂，加重陰離子的交換負(fù)荷。因此在一些情況下，系統(tǒng)中通過(guò)加NaOH來(lái)增加，H值，把CO2轉(zhuǎn)化成碳酸鹽和重碳酸鹽，有效地在RO膜中去除。

　　超純水生產(chǎn)設(shè)備

　　3、兩級(jí)RO出水問(wèn)題

　　一般認(rèn)為ROI→ROⅡ→EDI對(duì)EDI的出水質(zhì)量并不一定比ROI -EDI的出水質(zhì)量好。因?yàn)閮杉?jí)RO出水的電導(dǎo)率在1-2μS/cm，進(jìn)人到濃水、極水的導(dǎo)電特性不夠，導(dǎo)致模塊電阻上升，電流下降。模塊就不能將離子從主進(jìn)水流(穿過(guò)膜)中遷移到濃水中，產(chǎn)品水的水質(zhì)會(huì)受影響。如果RO出水的電導(dǎo)率小于2μS/cm, EDI濃水的進(jìn)水電導(dǎo)率應(yīng)設(shè)計(jì)在10~100μS/cm范圍內(nèi)，使?jié)馑鏊妼?dǎo)率達(dá)到40~100μS/cm的理想值。濃水出水電導(dǎo)率可從濃水進(jìn)出口濃度和回收率進(jìn)行平衡計(jì)算，然后確定設(shè)計(jì)方案。為了優(yōu)化帶有兩級(jí)RO-EDI的系統(tǒng)，

　　一般采用的措施有：

　　(l)從級(jí)RO出水(電導(dǎo)率大于20μS/cm)供給EDI的濃水、極水供水或從第二級(jí)RO進(jìn)水(電導(dǎo)率大于20μS/cm)供給EDI的濃水、極水。

　　(2)在EDI濃水、極水中加鹽優(yōu)質(zhì)NaCI。

　　質(zhì)量要求

　　氯化鈉(以固體中含量計(jì)算)>99.80%。

　　鈣和鎂(以Ca計(jì)算)<0. 05%。

　　銅<0. 5× 10-6。

　　鐵<5. 0× 10-6。

　　重金屬(以Pb計(jì)算)<2. 0 ×10-6。

　　大約維持電導(dǎo)率在10~100μS/cm,以達(dá)到出口水電導(dǎo)率為40~l00μS/cm。加鹽裝置包括計(jì)量泵、鹽液計(jì)量箱和低液位開(kāi)關(guān)。加鹽泵應(yīng)采用變頻計(jì)量泵，以便在系統(tǒng)運(yùn)行時(shí)由PLC控制劑量。為避免濃水中離子過(guò)度積累，需要排放少量濃水。排放掉的濃水由進(jìn)水補(bǔ)充，控制濃水的電導(dǎo)率在150~600μScm之間(或按照EDI產(chǎn)品要求而定)。

　　4、進(jìn)水的pH值

　　進(jìn)水的pH值表示了進(jìn)水中H+的含量，一般進(jìn)水控制在5-9.5之間。通常情況下，pH值偏低是由于CO2的溶解引起的。由于是弱電離物質(zhì)，COZ也是導(dǎo)致水質(zhì)惡化的因素之一，所以在進(jìn)EDI系統(tǒng)之前，一般可以安裝一個(gè)脫碳裝置，使得水中的CO2控制在5mg/L以下。水中pH值和CO2存在一定溶解關(guān)系，理論上當(dāng)pH>10時(shí)。高pH值有助于去除弱電離子，但是前提是必須在進(jìn)EDI系統(tǒng)前除去Ca2t+、Mg2+等離子。

大型超純水設(shè)備